Saludos y respetos.
Mi pregunta va referida al diseno de un emisor comun, con los datos que suministra nte en sus datasheet queria adjuntar el pdf de un datasheet de un transistor para hipoteticamente, si alguien sabia como se utilizan esos datos, psao a paso me ayudase a disenar hipoteticamente un emisor comun con esos datos.
http://www.nteinc.com/specs/10to99/pdf/nte11.pdf
Esa es la direccion de un transistor y su datasheet.
Saludos y respetos, gracias desde ya.
Sobre el diseno de emisor comun, con datos nte.
Re: Sobre el diseno de emisor comun, con datos nte.
Salud y respetos.
Entre los datos esta :
Maximum Collector Current, IC : 5 Amp.
Collector–Base Voltage, VCBO : 40 V.
Collector–Emitter Voltage, VCEO : 20 V.
Emitter–Base Voltage, VEBO : 7 V.
Total Power Dissipation, PD : 750 mW.
Tipical forward current gain : 230 min.
Fracias desde ya.
Entre los datos esta :
Maximum Collector Current, IC : 5 Amp.
Collector–Base Voltage, VCBO : 40 V.
Collector–Emitter Voltage, VCEO : 20 V.
Emitter–Base Voltage, VEBO : 7 V.
Total Power Dissipation, PD : 750 mW.
Tipical forward current gain : 230 min.
Fracias desde ya.
Re: Sobre el diseno de emisor comun, con datos nte.
Menuda empanada, tendrás que repasar la lección:
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hb ... ce.html#c1
La hoja de datos es para dos transistores, uno NPN, y otro PNP, tendrás que ver cual cojes, (que será el NPN claro)
Todo lo que has puesto son máximos que no se deben sobrepasar (ni siquiera acercarse), salvo Tipical forward current gain, que es la hFE.
La hFE es un número sin magnitud, es la relación entre las corrientes de base, y de colector, fijate que no te lo dá, solo te dice que está comprendido entre 340 y 600, le supones un valor medio, digamos 450. Lo que supone que si pasa 1mA por base, pasarán 450mA por colector.
Con estos valores, y las tensiones, calculas las resistencias, teniendo en cuenta que en la resistencia de colector tendría que caer la mitad de la tensión aplicada (Vcc), y para la tensión de base, puedes considerar o no la caida base-emisor. Esto sería una posible polarización.
Saludos.
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hb ... ce.html#c1
La hoja de datos es para dos transistores, uno NPN, y otro PNP, tendrás que ver cual cojes, (que será el NPN claro)
Todo lo que has puesto son máximos que no se deben sobrepasar (ni siquiera acercarse), salvo Tipical forward current gain, que es la hFE.
La hFE es un número sin magnitud, es la relación entre las corrientes de base, y de colector, fijate que no te lo dá, solo te dice que está comprendido entre 340 y 600, le supones un valor medio, digamos 450. Lo que supone que si pasa 1mA por base, pasarán 450mA por colector.
Con estos valores, y las tensiones, calculas las resistencias, teniendo en cuenta que en la resistencia de colector tendría que caer la mitad de la tensión aplicada (Vcc), y para la tensión de base, puedes considerar o no la caida base-emisor. Esto sería una posible polarización.
Saludos.
Cielo azul sobre campo de mieses, ánimo.
Constitución Española:
Todos los españoles tienen el deber de trabajar y el derecho al trabajo.
Todos los españoles tienen derecho a disfrutar de una vivienda digna y adecuada.
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