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 Asunto: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Jue Ene 29, 2009 2:20 pm 
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Registrado: Dom Mar 04, 2007 11:44 pm
Mensajes: 871
Ubicación: Gerona/España
Hola.

Tengo alguna duda sobre los recubrimientos para proteger las deposiciones de metales sobre superfícies.
He leído ya en varios sitios que usan SiO2, dióxido de silicio, o cuarzo ,,, o sea que crean una fina capa de cuarzo que es muy dura encima de las deposiciones.

Entonces,, tengo la duda de si símplemente cogo un target de silicio, por ejemplo una célula solar monocristalina,, la pongo en el magnetrón, hago sputtering con oxígeno,, y quedará la capa de cuarzo ?

Que pasa si no tengo oxígeno y hago servir los restos de aire que contienen un 80% de nitrógeno y más o menos un 15% de oxígeno (ahora no se seguro),, quedará algo parecido al cuarzo ? o el silicio se combinará con el nitrógeno para formar otra cosa ?...

Ya hice alguna prueba con el silicio trabajando a unas 25 micras, y la deposición no quedaba plata,, quedaba transparente, como pasa con el aluminio u otros metales que reaccionan con el oxígeno,, lo que en su momento no probé a depositar antes algo para ver si lo protegía,, por que desconocía la técnica de recubrimientos protectores.

Entonces,, pensais que es viable usar el aire normal y quedará cuarzo encima de las deposiciones ? o es más complicado de lo que pienso ?

Saludos

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Jue Ene 29, 2009 3:19 pm 
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Registrado: Lun Ene 30, 2006 10:44 am
Mensajes: 90
Ubicación: Madrid (España)
Hola Alfón:
Todas esas son preguntas “del millón” que yo también me estoy haciendo, y que sólo podré experimentar con la nuevo sistema (Campana-magnetrón) que estoy a punto de finalizar y presentar. Primero haré una prueba con metales nobles y luego, precisamente con silicio, que es de lo que dispongo. Yo sé que para hacer una película de SIO2 hay que disponer de un target de SIO y hacer R.F. sputtering con oxígeno dentro de la cámara. (Se usa R.F. ya que el SIO es dieléctrico)
Es posible que el silicio, ya que es un semiconductor, sirva para nuestros propósitos y pueda usarse de target, sin necesidad de ser necesario la utilización de R.F. y utilizando oxígeno para deponer. De lo que no estoy seguro, es de la influencia del nitrógeno del aire en ese proceso, caso de querer hacerlo así. Todas las pruebas que vaya haciendo, ya te las iré comentando, pero ten un poco de paciencia porque, a pesar de tener el sistema casi totalmente terminado, (Aún tengo que solucionar un problema con las electroválvulas de admisión de argón), no dispongo de momento de mucho tiempo para dedicarlo a esto.
Un cordial saludo a todos los C.A.


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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Jue Ene 29, 2009 9:59 pm 
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Registrado: Vie Dic 23, 2005 4:07 pm
Mensajes: 2148
Ubicación: Navalafuente-Madrid-España.
País: España
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Hola.


Si quereis algo duro por que no usais simplemente aluminio , daria alumina , dureza 9 en la escala de mohs.

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Vie Ene 30, 2009 2:40 pm 
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Registrado: Dom Mar 04, 2007 11:44 pm
Mensajes: 871
Ubicación: Gerona/España
Hola.

Bueno, pensaba que alguien lo había probado,, , será cosa de probar,,,

A ver si tengo un rato y lo pruebo,, silicio, aluminio, son los más protectores y transparentes , no ? zinc,, dará una capa transparente pero conductora, no ?

Recientemente hice deposiciones con oro, y es una lástima que se raye con solo limpiarlo o tocarlo con los dedos.
Ya os contaré a ver que sucede.

Saludos

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Vie Ene 30, 2009 3:19 pm 
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Registrado: Lun Ene 30, 2006 10:44 am
Mensajes: 90
Ubicación: Madrid (España)
Saludos a los dos:
Posiblemente tratar de hacer deposición en algunos materiales con aire residual, va a traer como consecuencia la formación de nitruros indeseados, con lo cual la forma de conseguir óxidos será con la purga con oxígeno puro. Si bien es cierto que algunos materiales como el SIO2 se deponen perfectamente con haz de electrones y alto vacío, mediante sputtering se realiza también utilizando target de monóxido de silicio. El tema de la alúmina que comenta Rafa es diferente. La alúmina amorfa, pienso que dejaría una capa blanquecina sin más. El crecimiento cristalino del AL2O3 trae como consecuencia la creación de zafiro sintético (Corindón) pero no creo que crezca de modo epitaxial sobre material depuesto.
Alfón, repito, pienso realizar unas pruebas de deposición de material dieléctrico utilizando DC y RF, pero, primero tengo que probar la nueva campana y el nuevo magnetrón. Nada más tenga algún resultado concluyente, lo publicaré. (No pienso publicar pruebas fallidas).
Otra cosa; tengo un documento sobre materiales de deposición y las técnicas más idóneas de deponerlos, voy a buscarlo y ponerlo aquí y en la lista de correo de CCA para servicio de todos, la semana que viene.
Cordial saludo a todos.


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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Vie Ene 30, 2009 3:24 pm 
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Registrado: Lun Dic 17, 2007 11:59 pm
Mensajes: 1818
Ubicación: Oviedo Asturias
Hola Luis.

Respeto tu opcion de no publicar pruebas fallidas, pero ¿no será mejor que las comentes aunque sea por encima?. Lo digo por los que lo intenten detrás... pueden cometer los mismos fallos o errores, y como estamos para sacar algo en claro seguro que el que decida hacerlo te lo agradece.

Yo estaré pendiente de vuestros avances

Animo y un saludo

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Sab Ene 31, 2009 8:24 am 
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Registrado: Dom Mar 04, 2007 11:44 pm
Mensajes: 871
Ubicación: Gerona/España
Hola gente.

Gracias Luis por tu interés y tus futuras pruebas.

Yo por suerte he tenido un rato libre esta noche en el trabajo y he hecho la prueba con aire normal.
Trabajando a 25 micras, sin limpiar la camara.
Podeis ver las pruebas en mi página ...
http://www.alfon.fansub.org/sputtering/recubsputtering.htm

Resumiendo,, con silicio no me ha dado resultado, pero falta probar con oxígeno puro, y con aire pero a más intensidad.

Con aluminio he tenido buenos resultados, pero trabajando a 150 miliamperios, y dejando reposar para no fundiar el target.
He tenido que alejar unos 10 centímetros las muestras para no recalentarlas.
Y para finalizar he rascado con un papel bastante rato hasta que la parte que teóricamente no ha recibido el óxido de aluminio se ha arrancado toda, la parte con óxido no se ha rayado mucho y ha conservado todo el oro.

Con el aluminio falta probar con oxígeno puro y con un target que realmente sea solo aluminio, el que he usado llevará otros metales mezclados.

Imagen
Imagen

A ver si entre todos conseguimos un buen recubrimiento protector,, de momento ya sabes de uno que más o menos trabaja con aire.

Saludos

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Mar Jul 07, 2009 3:14 pm 
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Registrado: Lun Dic 17, 2007 11:59 pm
Mensajes: 1818
Ubicación: Oviedo Asturias
Uppp

Como va el asunto Luis?? has podido hacer mas pruebas entre cacharreos Alfon??

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Mar Jul 07, 2009 11:43 pm 
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Registrado: Dom Mar 04, 2007 11:44 pm
Mensajes: 871
Ubicación: Gerona/España
Hola Diego y gente.

Al final el tema de la capa protectora no lo vi del todo claro, todo y que parecía por la forma del papel que la capa protectora había funcionado, en otras pruebas fue alrevés, casi todas las deposiciones hacían ablandar la capa de oro o plata y terminaban por desprenderse al frotar un poco.
Supongo que el tema son los nitruros que se forman, todo y ponieno oxígeno puro, los restos de gases que en la mayoría son Nitrógeno, pues reaccionan y no se puede hacer estos óxidos tan preciados.

Supongo que tocará esperar a la difusora.

Saludos

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 Asunto: Re: Sputtering reactivo del silicio con oxígeno
NotaPublicado: Mar Jul 07, 2009 11:50 pm 
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Registrado: Vie Mar 06, 2009 8:45 pm
Mensajes: 808
País: España
Ciudad: Barcelona
¿Un vacío con una bomba mecánica seguido con un soplo de argón en el sentido de extracción desplazaría el aire residual?


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Traducción al español por Huan Manwë